图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 3A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | * |
| 频率 - 转换 | 120MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 250mV @ 300mA, 3A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA (ICBO) |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| 供应商设备封装 | * |
| 封装 | * |
| 功率 - 最大 | 2.1W |
| 封装/外壳 | * |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 120 @ 1A, 2V |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.115 V |
| 直流电流增益hFE最大值 | 360 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 集电极最大直流电流 | 6 A |
| 增益带宽产品fT | 120 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 140 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| Pd - Power Dissipation | 33 W |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 120 |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 3 A |
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